000			01029nam a2200265 i 4500
001			3396
003			OSt
005			20250418111008.0
008			071114s2007 unr|||||||||||||| |yeng d
020			_a978-966-02-4268-5 _c15.00 грн.
040			_bukr _cЦНТУ
041			_aend
080			_a32.843.3
242	0	0	_aСтан та перспективи розвитку функціональних матеріалів для науки та техніки
245	0	0	_aEffect of active actions on the properties of semiconductor materials and structures : _bмонографія / _cE. В. Atanassova, A. E. Belyaev, R. V. Konakova
260			_aХаркiв : _bInstitute for Single Crystals, _c2007
300			_a216 с.
650	0	4	_aЕлектротехнічні матеріали та вироби
700	1		_aAtanassova, E. В.
700	1		_aBelyaev, A. Е.
700	1		_aKonakova, R. V.
852			_h32.843.3 _iЕ90
942			_2udc _cBKS _h32.843.3 _iЕ90 _n0
999			_c3396 _d3396